美国对华HBM出口管制规则公布:三大HBM原厂均受限
当地时间12月2日,美国美国《联邦公报》网站公布了由美国商务部工业和安全局(BIS)修订的对华新的《出口管制条例》(EAR),在正式将140家中国半导体相关企业列入了实体清单的出厂均同时,还公布了对于高带宽内存(HBM)的口管出口管制规则。
随着生成式人工智能(AI)的制规则持续火爆,市场对于高性能AI芯片的受限需求暴涨,这也直接带动了此类AI芯片内部所集成的美国HBM(高带宽内存)需求的爆发。所谓HBM,对华是出厂均指通过多个DRAM芯粒3D堆叠而成的,具备高带宽、口管高存储密度、制规则低功耗和紧凑尺寸等优势。受限HBM往往与GPU、美国AI ASIC直接集成封装在一颗芯片当中,对华这也直接提升了数据搬运的出厂均效率,无论在AI和HPC应用中,其带来的高带宽、高容量、低时延特性,对大模型训练和推理效率的提升至关重要。
对于美国来说,为了阻止中国AI产业的发展,自2022年10月就开始出台限制政策,直接限制中国获取外部先进的AI芯片以及内部制造先进AI芯片的能力。而HBM作为高性能AI芯片所需的关键元件,自然也就成为了美国限制的一个方面。
在BIS最新公布的限制规则当中,对于之前针对存储芯片的“高级节点集成电路”限制进行了更新,加入了新的限制规则。具体来说,包括符合以下任何标准的集成电路都将受到限制:
(1)使用非平面晶体管架构或具有16/14纳米或更小“生产”“技术节点”的逻辑集成电路;
(2)128层或更多层的NAND存储器集成电路;或
(3)动态随机存取存储器(DRAM)集成电路,具有:(i) 存储单元面积小于0.0019平方微米;或(ii)存储器密度大于0.288Gb/平方毫米。
可以看到,新增的第三条限制就是针对HBM的,因为HBM就是将多个DRAM通过TSV工艺堆叠封装在一起,因此其存储单元面积和密度必然会比较高。
新规则不仅适用于美国原产的HBM ,同时还将限制根据先进计算外国直接产品 (FDP) 规则受 EAR 约束的外国生产的 HBM。新规中规定仅当 3A090.c 项的Memory bandwidth density小于3.3 GB/s/mm? 时,才可获得HBM例外以进行出口、再出口或转让(国内)。只有小于此参数的 HBM 才可获得例外许可授权。
此许可例外授权出口、再出口和转让(国内),前提是:(1) 出口、再出口或转让(国内)由包装场所完成,即使包装场所位于受关注的国家境内,也由美国或盟国总部的公司拥有和运营,从而减轻了对这些目的地的国家安全担忧;(2) 美国或盟国总部的公司仔细跟踪包装场所发送和返回的 HBM,并解决差异或向 BIS 报告。
按照分析,该限制将使得包括HBM2和HBM3、HBM3e等所有HBM芯片的对华出口将会受限。并且,SK海力士、美光和三星是全球主要的三家HBM供应商的相关HBM对华出口都将会受限。
不过,新增的规则只适用于单独HBM堆栈,对于整个芯片封装系统中的板载HBM则排除在外,也就是说英伟达等厂商的对华特供的AI芯片上封装的HBM是不受限制的,即英伟达的H20之类的AI芯片上封装的HBM不受该规则影响,适用于之前的针对AI芯片的 3A090a 和 3A090b规则限制,即对于性能密度和带宽的限制。
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